IPA65R660CFDXKSA1

Подробности продукции

В качестве эффективного и опытного дистрибьютора гибридной электроники, наша компания, RX Electronics., Предлагает широкий спектр качественных электронных компонентов, полученных непосредственно от всемирно известных производителей. Это устройство оснащена расширенной структурой 沟槽式场效应晶体管 (технологии траншеи), которая обеспечивает низкое сопротивление в государстве (RDS (ON)) и превосходные тепловые характеристики. С рейтингом напряжения 650 В, он обеспечивает надежную защиту от пиков напряжения, что делает его идеальным для использования в суровых электрических средах.

Ключевые характеристики включают в себя максимальное сопротивление в штате в штате 0,66 Ом при напряжении от затвора 10 В, обеспечивая эффективное преобразование мощности и минимальное тепло. IPA65R660CFDXKSA1 также может похвастаться быстрыми скоростями переключения, снижая потери энергии во время переходов и повышая общую эффективность системы.

Этот MOSFET широко используется в различных приложениях для промышленной и потребительской электроники, таких как питания Switch-Mode (SMP), двигательные диски и системы возобновляемых источников энергии, такие как солнечные инверторы. Его компактный пакет D2PAK-7 экономит пространство для платы, сохраняя при этом высокую надежность и долговечность. В целом, IPA65R660CFDXKSA1 предоставляет надежное и эффективное решение для потребностей в управлении питанием в современных электронных проектах. Проверьте цитату IPA65R660CFDXKSA1 и оставьте свое сообщение по адресу info@rxelectronics.com.