IPB080N06N G

Подробности продукции

Если вам требуется поставка IPB080N06N G, то вы попали в нужное место! RX Electronics рада предложить наши исключительные услуги для удовлетворения ваших потребностей. IPB080N06N G от Infineon Technologies-это высокопроизводительный, N-канальный мощный MOSFET, предназначенный для эффективных приложений переключения. Это устройство имеет низкое сопротивление в гостях (RDS (ON)) 8 миллионов при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и повышенную эффективность системы. IPB080N06N G работает в пределах диапазона напряжений 60 В, что делает его подходящим для различных промышленных и автомобильных систем, которые требуют устойчивости и надежности.

Ключевые характеристики включают быстрые скорости переключения, превосходные тепловые характеристики и надежный конструкция, которая может обрабатывать высокие скачки тока. Он также объединяет защиту ESD для защиты от электростатического повреждения во время обработки и работы. Компактный пакет DPAK (TO-252) позволяет легко интегрировать в конструкции, ограниченные пространством.

Этот MOSFET широко используется в преобразователях DC-DC, схемах управления двигателем и системам управления аккумуляторами. Его превосходная производительность делает его идеальным для применений, требующих высокой эффективности, таких как электромобили, системы возобновляемых источников энергии и оборудование для промышленной автоматизации. В целом, IPB080N06N G предлагает надежное и эффективное решение для современных проектов электроники электроники. Пожалуйста, любезно нажмите «Отправить запрос», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.