IPN50R3K0CEATMA1

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN IPN50R3K0Ceatma1, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите все детали в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. N-канальный мощный MOSFET, предназначенный для требовательных приложений для преобразования питания. Это устройство имеет ультра-низкую резистентность (RDS (ON)) 3,0 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и высокую эффективность. Оптимизированный для высокочастотных операций переключения, он поддерживает напряжение источника источника (VDS) 50 В, что делает его подходящим для автомобильной, промышленной и потребительской электроники.

IPN50R3K0Ceatma1 использует передовую технологию траншеи для достижения превосходных тепловых характеристик и надежности. Его пакет компактной до 263-3 облегчает простую интеграцию в конструкции с ограниченными пространством, предлагая превосходное рассеяние тепла. Устройство также обеспечивает быстрые скорости переключения, снижение потерь переключения и повышение общей эффективности системы.

Строгий контроль качества Infineon обеспечивает надежную работу в широком диапазоне температур (от -55 ° C до +175 ° C). Идеально подходит для преобразователей DC-DC, двигательных дисков и систем управления аккумулятором, этот MOSFET обеспечивает выдающуюся производительность и надежность в приложениях Power Electronics. Пожалуйста, любезно нажмите «Отправить запрос», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.