IRF6603

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN IRF6603, к счастью, вы попали в нужное место, вы получите все детали в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. IRF6603 от Infineon Technologies-это современный N-канал MOSFET, предназначенный для высокопроизводительных приложений переключения. Он имеет низкое сопротивление в государстве (RDS (ON)) 120 МОм при VGS = 10 В, обеспечивая минимальную потерю мощности и повышенную эффективность. IRF6603 поддерживает напряжение источника источника (VDS) 60 В и непрерывный канатный ток (ID) до 28А, что делает его идеальным для автомобильной, промышленной и потребительской электроники. Его термически улучшенный пакет SO-8 улучшает рассеяние тепла, что обеспечивает надежную работу в требовательных средах. Благодаря быстрому переключению и низким заряду затвора, IRF6603 уменьшает потери переключения, оптимизируя производительность в преобразователях DC-DC, управлении двигателем и системами освещения. Это устройство также предлагает надежную защиту короткого замыкания и превосходную лавину, обеспечивая долговечность и безопасность в различных приложениях. Приверженность Infineon качеству гарантирует, что IRF6603 обеспечивает постоянную производительность в широком спектре рабочих условий. Пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по продажам по адресу info@rxelectronics.com при более раннем удобстве. Мы уверены, что наша команда не разочарует вас. Спасибо за рассмотрение RX Electronics.