IRGP50B60PDPBF

Подробности продукции

Если вам нужен надежный источник для IRGP50B60PDPBF, то вы попали в нужное место! Наша компания, RX Electronics, является всемирным дистрибьютором этого компонента. Кроме того, мы также предоставляем электронные компоненты из различных известных брендов. Этот N-канальный MOSFET оснащен низким сопротивлением в государстве (RDS (ON)) 0,042 Ом при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и повышение эффективности. С максимальным напряжением источника источника (VDS) 600 В, оно хорошо подходит для высоковольтных сред, обеспечивая надежную защиту от пиков напряжения.

IRGP50B60PDPBF поддерживает непрерывные дренажные токи до 50А, что делает его идеальным для промышленных моторных дисков, переключения источников питания и систем возобновляемых источников энергии. Его термически улучшенный пакет до 247 облегчает эффективное рассеяние тепла, повышая надежность в мощных операциях. Устройство также предлагает быстрые характеристики переключения, снижение потерь переключения и улучшение общей производительности системы.

Этот MOSFET, спроектированный с передовой технологией траншеи, обеспечивает превосходную тепловую стабильность и долгосрочную долговечность. Его низкий заряд затвора (QG) обеспечивает более быстрые скорости переключения, способствуя более высокой частоте в современных конструкциях электроники. В целом, IRGP50B60PDPBF обеспечивает надежные, эффективные и высокопроизводительные решения для управления питанием. Пожалуйста, свяжитесь с нашим группой продаж или отправьте электронное письмо по адресу info@rxelectronics.com. Надеюсь, мы сможем сотрудничать в будущем.