IRLU8203PBF

Подробности продукции

Поиск надежного источника для PN IRLU8203PBF имеет решающее значение, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите подлинный и надежный источник продуктов на RX Electronics. Для требовательных приложений управления энергетикой. Это устройство имеет ультра-низкую резистентность (RDS (ON)) 1,6 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и повышение эффективности схем преобразования мощности. IRLU8203PBF поддерживает максимальное напряжение дренажного источника (VDS) 30 В, что делает его подходящим для систем с низким напряжением, таких как автомобильная электроника, промышленные диски и потребительские приборы.

Благодаря непрерывному току дренажного тока (ID) составляет до 479А при 25 ° C, этот MOSFET превосходит в приложениях с высоким уровнем тока, обеспечивая надежную производительность в условиях тяжелой нагрузки. Его быстрые характеристики переключения снижают потери переключения, что способствует общей эффективности системы. IRLU8203PBF расположен в компактном пакете D2PAK (TO-263), предлагая превосходное тепловое рассеяние и простоту интеграции в конструкции PCB.

Расширенные производственные процессы Infineon гарантируют, что IRLU8203PBF обеспечивает надежную работу в широком температурном диапазоне (от -55 ° C до +175 ° C), что делает его идеальным для критически важных применений, где долговечность и производительность имеют первостепенное значение. Команда info@rxelectronics.com для дальнейших обсуждений.