Номер детали производителя : | SIDC19D60SIC3 | Статус RoHS : | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | International Rectifier (Infineon Technologies) | Состояние на складе : | 4334 pcs Stock |
Описание : | DIODE SCHOTTKY 600V 6A WAFER | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | SIDC19D60SIC3.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | SIDC19D60SIC3 |
---|---|
производитель | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Описание | DIODE SCHOTTKY 600V 6A WAFER |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
Кол-во в наличии | 4334 pcs |
Спецификация | SIDC19D60SIC3.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7V @ 6A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600V |
Поставщик Упаковка устройства | Sawn on foil |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0ns |
упаковка | Bulk |
Упаковка / | Die |
Другие названия | SP000013870 |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Диод Тип | Silicon Carbide Schottky |
Подробное описание | Diode Silicon Carbide Schottky 600V 6A (DC) Surface Mount Sawn on foil |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 200µA @ 600V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 6A (DC) |
Емкостной @ В.Р., F | 300pF @ 1V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
DIODE GEN PURP 1.7KV 300A WAFER
DIODE GP 1.2KV 35A WAFER
DIODE GEN PURP 600V 45A DIE
DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER
DIODE GEN PURP 600V 45A DIE
DIODE SCHOTTKY 600V 5A WAFER
DIODE GEN PURP 600V 45A DIE
DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER
DIODE GEN PURP 600V 75A WAFER