Номер детали производителя : | DTA114EEBMGTL | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | TRANS PNP 100MA 50V SC-89 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | DTA114EEBMGTL |
---|---|
производитель | LAPIS Semiconductor |
Описание | TRANS PNP 100MA 50V SC-89 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50 V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Тип транзистор | PNP - Pre-Biased + Diode |
Поставщик Упаковка устройства | EMT3F (SOT-416FL) |
Резистор - основание эмиттера (R2) | 10 kOhms |
Резистор - основание (R1) | 10 kOhms |
Мощность - Макс | 150 mW |
Упаковка / | SC-89, SOT-490 |
Тип установки | Surface Mount |
Частота - Переход | 250 MHz |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100 mA |
PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
TRANS PREBIAS PNP 200MW SST3
PNP, SOT-416, R1=R2 POTENTIAL DI
Interface
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
TRANS PNP 50V 10/10K SC-75
TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
PNP, SOT-416, R1=R2 POTENTIAL DI
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3