Номер детали производителя : | DTDG14GPT100 |
---|---|
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor |
Состояние на складе : | 56855 pcs Stock |
Описание : | TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | DTDG14GPT100(1).pdfDTDG14GPT100(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | DTDG14GPT100 |
---|---|
производитель | LAPIS Semiconductor |
Описание | TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 56855 pcs |
Спецификация | DTDG14GPT100(1).pdfDTDG14GPT100(2).pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 60V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 500mA |
Тип транзистор | NPN - Pre-Biased |
Поставщик Упаковка устройства | MPT3 |
Серии | - |
Резистор - основание эмиттера (R2) | 10 kOhms |
Мощность - Макс | 2W |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | TO-243AA |
Другие названия | DTDG14GPT100TR |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 10 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Частота - Переход | 80MHz |
Подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 60V 1A 80MHz 2W Surface Mount MPT3 |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 500mA, 2V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA (ICBO) |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 1A |
Номер базового номера | DTDG14 |
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
TRANS PREBIAS NPN 1.5W MPT3
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3