| Номер детали производителя : | EMB75T2R |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor |
| Состояние на складе : | 8000 pcs Stock |
| Описание : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | EMB75T2R(1).pdfEMB75T2R(2).pdfEMB75T2R(3).pdfEMB75T2R(4).pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | EMB75T2R |
|---|---|
| производитель | LAPIS Semiconductor |
| Описание | TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | 8000 pcs |
| Спецификация | EMB75T2R(1).pdfEMB75T2R(2).pdfEMB75T2R(3).pdfEMB75T2R(4).pdf |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 5mA |
| Тип транзистор | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Поставщик Упаковка устройства | EMT6 |
| Серии | - |
| Резистор - основание эмиттера (R2) | 47kOhms |
| Резистор - основание (R1) | 4.7kOhms |
| Мощность - Макс | 150mW |
| Упаковка / | SOT-563, SOT-666 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Частота - Переход | 250MHz |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
| Базовый номер продукта | EMB75 |







PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH

IC SDRAM LPDDR2 8GBIT 128MX64 FB

SPEC/CUSTOM IC SDRAM LPDDR2 VFBG

IC SDRAM LPDDR2 8GBIT 256MX32 FB
PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
3M ELECTRICAL MOISTURE BLOCK PAD
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

SPEC/CUSTOM IC SDRAM LPDDR2 WFBG
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6