Номер детали производителя : | EMB75T2R |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor |
Состояние на складе : | 8000 pcs Stock |
Описание : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | EMB75T2R(1).pdfEMB75T2R(2).pdfEMB75T2R(3).pdfEMB75T2R(4).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | EMB75T2R |
---|---|
производитель | LAPIS Semiconductor |
Описание | TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 8000 pcs |
Спецификация | EMB75T2R(1).pdfEMB75T2R(2).pdfEMB75T2R(3).pdfEMB75T2R(4).pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 5mA |
Тип транзистор | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Поставщик Упаковка устройства | EMT6 |
Серии | - |
Резистор - основание эмиттера (R2) | 47kOhms |
Резистор - основание (R1) | 4.7kOhms |
Мощность - Макс | 150mW |
Упаковка / | SOT-563, SOT-666 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Тип установки | Surface Mount |
Частота - Переход | 250MHz |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
Базовый номер продукта | EMB75 |
PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
IC SDRAM LPDDR2 8GBIT 128MX64 FB
SPEC/CUSTOM IC SDRAM LPDDR2 VFBG
IC SDRAM LPDDR2 8GBIT 256MX32 FB
PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
3M ELECTRICAL MOISTURE BLOCK PAD
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
SPEC/CUSTOM IC SDRAM LPDDR2 WFBG
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6