Номер детали производителя : | RBLQ30NL10STL |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 30A, |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RBLQ30NL10STL |
---|---|
производитель | LAPIS Semiconductor |
Описание | TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 30A, |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 860 mV @ 30 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 100 V |
Технологии | Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | TO-263L |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 150 µA @ 100 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 30A |
Емкостной @ В.Р., F | - |
Базовый номер продукта | RBLQ30 |
TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 20A,
TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 20A,
TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 2A,
TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 3A,
TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 30A,
TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 20A,
DIODE SCHOTTKY 100V 3A PMDTM
TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 20A,
TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 20A,
TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 2A,