Номер детали производителя : | RFN30TS6SGC11 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 600V 30A TO247 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | RFN30TS6SGC11(1).pdfRFN30TS6SGC11(2).pdfRFN30TS6SGC11(3).pdfRFN30TS6SGC11(4).pdfRFN30TS6SGC11(5).pdfRFN30TS6SGC11(6).pdfRFN30TS6SGC11(7).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RFN30TS6SGC11 |
---|---|
производитель | LAPIS Semiconductor |
Описание | DIODE GEN PURP 600V 30A TO247 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | RFN30TS6SGC11(1).pdfRFN30TS6SGC11(2).pdfRFN30TS6SGC11(3).pdfRFN30TS6SGC11(4).pdfRFN30TS6SGC11(5).pdfRFN30TS6SGC11(6).pdfRFN30TS6SGC11(7).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.55 V @ 30 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | TO-247 |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 60 ns |
Упаковка / | TO-247-3 |
Упаковка | Bulk |
Рабочая температура - Соединение | 150°C (Max) |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 600 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 30A |
Емкостной @ В.Р., F | - |
Базовый номер продукта | RFN30 |
DIODE GEN PURP 200V 2A PMDE
DIODE GEN PURP 200V 3A TO252GE
DIODE GEN PURPOSE CPD
DIODE GEN PURPOSE CPD
DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM
DIODE GEN PURP 200V 2A PMDE
DIODE GEN PURP 600V 3A TO252
DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM
DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247
DIODE GEN PURP 200V 3A TO252