Номер детали производителя : | RS3E180ATTB1 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RS3E180ATTB1 |
---|---|
производитель | LAPIS Semiconductor |
Описание | MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 5mA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | 8-SOP |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 18A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 1.4W (Ta) |
Упаковка / | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 7200 pF @ 15 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
Тип FET | P-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 18A (Ta) |
Базовый номер продукта | RS3E |
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
MOSFET P-CH 30V 8SOP
MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
PCH -30V -7.5A MIDDLE POWER MOSF
PCH -30V -13A POWER MOSFET : RS3
DIODE GEN PURP 400V 3A SMC
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB