| Номер детали производителя : | UMD25NTR |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | LAPIS Semiconductor |
| Состояние на складе : | 8950 pcs Stock |
| Описание : | UMD25N IS A DIGITAL TRANSISTOR C |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | UMD25NTR |
|---|---|
| производитель | LAPIS Semiconductor |
| Описание | UMD25N IS A DIGITAL TRANSISTOR C |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | 8950 pcs |
| Спецификация | |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Тип транзистор | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Поставщик Упаковка устройства | UMT6 |
| Серии | - |
| Резистор - основание эмиттера (R2) | 47kOhms |
| Резистор - основание (R1) | 2.2kOhms |
| Мощность - Макс | 150mW |
| Упаковка / | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Частота - Переход | 250MHz |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
| Базовый номер продукта | UMD25 |








Interface

SOT-363 NPN+PNP 0.15W 0.1A Tran
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

Transistors - Bipolar (BJT) - Si
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH

Transistors - Bipolar (BJT) - Si

Interface

Transistors - Bipolar (BJT) - Si
PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH