PTH04T261WAST

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN PTH04T261 WAST, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите все детали в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. Этот IC-чип имеет низкое сопротивление в государстве (RDS (ON)) 0,0045 Ом при VGS = 10 В, обеспечивая минимальные потери мощности и повышенную эффективность. Благодаря рейтингу напряжения источника дренажного источника (VDS) 40 В и непрерывной способностью дренажного тока (ID) до 261А, он поддерживает требовательные задачи управления питанием.

Это устройство превосходит тепловую производительность благодаря своей расширенной технологии упаковки, что обеспечивает надежную работу при тяжелых нагрузках. Его быстрая скорость переключения снижает потери переключения, что делает его идеальным для высокочастотных приложений, таких как преобразователи DC-DC, системы управления двигателем и решения для управления аккумуляторами. Кроме того, PTH04T261 WAST обеспечивает надежную защиту от электрической чрезмерной стрессы, обеспечивая долгосрочную надежность в промышленных и автомобильных средах.

Его компактный след упрощает интеграцию в конструкции с ограниченными пространством, сохраняя при этом превосходные электрические характеристики. В целом, этот MOSFET является отличным выбором для дизайнеров, ищущих эффективные, долговечные и мощные решения. Пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по продажам по адресу info@rxelectronics.com при более раннем удобстве. Мы уверены, что наша команда не разочарует вас. Спасибо за рассмотрение RX Electronics.