Номер детали производителя : | 1N457 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Micrel / Microchip Technology |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE GEN PURP 60V 150MA DO35 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | 1N457(1).pdf1N457(2).pdf1N457(3).pdf1N457(4).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | 1N457 |
---|---|
производитель | Micrel / Microchip Technology |
Описание | DIODE GEN PURP 60V 150MA DO35 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | 1N457(1).pdf1N457(2).pdf1N457(3).pdf1N457(4).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1 V @ 100 mA |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 60 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-35 (DO-204AH) |
скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Серии | - |
Упаковка / | DO-204AH, DO-35, Axial |
Упаковка | Bulk |
Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 150°C |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 25 nA @ 60 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 150mA |
Емкостной @ В.Р., F | - |
DIODE GP REV 70V 150MA DO35
DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35
DIODE ZENER TEMP COMPENSATED
HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIO
DIODE GEN PURP 30V 500MA DO35
TEMPERATURE COMPENSATED
HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIO
DIODE GEN PURP 500MA DO35
DIODE GEN PURP 30V 500MA DO35
DIODE ZENER