Номер детали производителя : | JANKCDR2N2907A | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Micrel / Microchip Technology | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | SMALL-SIGNAL BJT | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | JANKCDR2N2907A(1).pdfJANKCDR2N2907A(2).pdfJANKCDR2N2907A(3).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | JANKCDR2N2907A |
---|---|
производитель | Micrel / Microchip Technology |
Описание | SMALL-SIGNAL BJT |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | JANKCDR2N2907A(1).pdfJANKCDR2N2907A(2).pdfJANKCDR2N2907A(3).pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 60 V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Тип транзистор | PNP |
Поставщик Упаковка устройства | TO-18 (TO-206AA) |
Серии | Military, MIL-PRF-19500/291 |
Мощность - Макс | 500 mW |
Упаковка / | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Упаковка | Bulk |
Рабочая Температура | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole |
Частота - Переход | - |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 50nA |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 600 mA |
RH POWER BJT
DIODE GEN PURP 100V 1A DIE
RH POWER BJT
RH POWER BJT
RH POWER BJT
RH POWER BJT
TRANS NPN 80V 2A TO39
TRANS NPN 80V 2A TO39
DIODE GEN PURP 50V 1A DIE
DIODE GEN PURP 150V 1A DIE