| Номер детали производителя : | JANS1N5806US/TR |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | Micrel / Microchip Technology |
| Состояние на складе : | - |
| Описание : | DIODE GEN PURP 150V 1A D-5A |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | JANS1N5806US/TR(1).pdfJANS1N5806US/TR(2).pdfJANS1N5806US/TR(3).pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | JANS1N5806US/TR |
|---|---|
| производитель | Micrel / Microchip Technology |
| Описание | DIODE GEN PURP 150V 1A D-5A |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | JANS1N5806US/TR(1).pdfJANS1N5806US/TR(2).pdfJANS1N5806US/TR(3).pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 875 mV @ 1 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 150 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | D-5A |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | Military, MIL-PRF-19500/477 |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 25 ns |
| Упаковка / | SQ-MELF, A |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C |
| Тип установки | Surface Mount |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 1 µA @ 150 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
| Емкостной @ В.Р., F | 25pF @ 10V, 1MHz |







DIODE GEN PURP 150V 1A D-5A

DIODE GP REV 160V 1A A SQ-MELF
DIODE GEN PURP 50V 6A B AXIAL
DIODE GEN PURP 150V 1A
DIODE GEN PURP 50V 6A B AXIAL
DIODE GEN PURP 150V 2A A AXIAL
DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

DIODE GEN PURP 50V 3A B SQ-MELF

UFR,FRR

DIODE GEN PURP 50V 6A B SQ-MELF