| Номер детали производителя : | JANTXV1N5416 | Статус RoHS : | RoHS несовместим | 
|---|---|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | Micrel / Microchip Technology | Состояние на складе : | - | 
| Описание : | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | Доставить из : | Гонконг | 
| Спецификация : | JANTXV1N5416(1).pdfJANTXV1N5416(2).pdfJANTXV1N5416(3).pdfJANTXV1N5416(4).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS | 
| Часть № | JANTXV1N5416 | 
|---|---|
| производитель | Micrel / Microchip Technology | 
| Описание | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | 
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | RoHS несовместим | 
| Кол-во в наличии | В наличии | 
| Спецификация | JANTXV1N5416(1).pdfJANTXV1N5416(2).pdfJANTXV1N5416(3).pdfJANTXV1N5416(4).pdf | 
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.5 V @ 9 A | 
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 100 V | 
| Технологии | Standard | 
| Поставщик Упаковка устройства | B, Axial | 
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | 
| Серии | Military, MIL-PRF-19500/411 | 
| Обратное время восстановления (ТИР) | 150 ns | 
| Упаковка / | B, Axial | 
| Упаковка | Bulk | 
| Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 175°C | 
| Тип установки | Through Hole | 
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 1 µA @ 100 V | 
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 3A | 
| Емкостной @ В.Р., F | - | 







DIODE GEN PURP 50V 3A

DIODE GEN PURP 100V 3A D-5B

DIODE GEN PURP 50V 3A D-5B

DIODE GEN PURP 50V 3A D-5B
DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

DIODE GEN PURP 100V 3A D-5B

D MET 3A FAST 200V HR
DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
DIODE GEN PURP 100V 3A
DIODE CUR REG 100V 5.17MA 500MW