| Номер детали производителя : | JANTXV1N6625 | Статус RoHS : | RoHS несовместим |
|---|---|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | Micrel / Microchip Technology | Состояние на складе : | - |
| Описание : | DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-PAK | Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | JANTXV1N6625(1).pdfJANTXV1N6625(2).pdfJANTXV1N6625(3).pdfJANTXV1N6625(4).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | JANTXV1N6625 |
|---|---|
| производитель | Micrel / Microchip Technology |
| Описание | DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-PAK |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | RoHS несовместим |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | JANTXV1N6625(1).pdfJANTXV1N6625(2).pdfJANTXV1N6625(3).pdfJANTXV1N6625(4).pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.75 V @ 1 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1100 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | A, Axial |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | Military, MIL-PRF-19500/585 |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 60 ns |
| Упаковка / | A, Axial |
| Упаковка | Bulk |
| Рабочая температура - Соединение | -65°C ~ 150°C |
| Тип установки | Through Hole |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 1 µA @ 1100 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
| Емкостной @ В.Р., F | - |







DIODE GEN PURP 900V 1A D-5A
DIODE GEN PURP 900V 1A D-5A

DIODE GP REV 1.1KV 1A A SQ-MELF
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D-5A

DIODE GP REV 990V 1A A SQ-MELF
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-PAK
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D-5A
DIODE GEN PURP 990V 1A A-PAK
DIODE GEN PURP 900V 1A D-5A
DIODE GEN PURP 1KV 1A D-5A