Номер детали производителя : | APT10SCD120BCT | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Microsemi | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | APT10SCD120BCT(1).pdfAPT10SCD120BCT(2).pdfAPT10SCD120BCT(3).pdfAPT10SCD120BCT(4).pdfAPT10SCD120BCT(5).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | APT10SCD120BCT |
---|---|
производитель | Microsemi |
Описание | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | APT10SCD120BCT(1).pdfAPT10SCD120BCT(2).pdfAPT10SCD120BCT(3).pdfAPT10SCD120BCT(4).pdfAPT10SCD120BCT(5).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.8 V @ 10 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | TO-247 |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | TO-247-3 |
Упаковка | Tube |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Through Hole |
Диод Конфигурация | 1 Pair Common Cathode |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 200 µA @ 1200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode) | 36A (DC) |
Базовый номер продукта | APT10S |
DIODE SIL CARB 1.2KV 36A TO247
DIODE SILICON 650V 17A TO220
MOSFET N-CH 100V 75A TO247
DIODE SIL CARB 650V 17A TO220
DIODE SIL CARB 1.7KV 23A TO247
MOSFET N-CH 100V 75A D3PAK
DIODE SIL CARB 1.2KV 43A TO247
MOSFET N-CH 100V 75A D3PAK
DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220
MOSFET N-CH 100V 75A TO247