Номер детали производителя : | 1N4149 |
---|---|
Статус RoHS : | RoHS несовместим |
Изготовитель / Производитель : | NTE Electronics, Inc. |
Состояние на складе : | - |
Описание : | DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | 1N4149(1).pdf1N4149(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | 1N4149 |
---|---|
производитель | NTE Electronics, Inc. |
Описание | DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | RoHS несовместим |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | 1N4149(1).pdf1N4149(2).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1 V @ 10 mA |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 100 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-35 |
скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 4 ns |
Упаковка / | DO-204AH, DO-35, Axial |
Упаковка | Bag |
Рабочая температура - Соединение | 175°C (Max) |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 25 nA @ 20 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 500mA |
Емкостной @ В.Р., F | 2pF @ 0V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35
HIGH CONDUCTANCE FAST DIODE