MRF18090AR3

Подробности продукции

Если вам требуется запас MRF18090AR3, то вы попали в нужное место! RX Electronics рада предложить наши исключительные услуги для удовлетворения ваших потребностей. MRF18090AR3, изготовленный NXP USA Inc., представляет собой высокопроизводительный транзистор LDMOS (поперечный диффундийный оксид металлов), предназначенный для усиления мощности в приложениях RF (радиочастотная). Это устройство оптимизировано для работы в диапазоне частот от 700 МГц до 2,7 ГГц, что делает его идеальным для использования в сотовой инфраструктуре, беспроводной связи и промышленных приложениях, требующих надежных результатов РЧ. Ключевые особенности MRF18090AR3 включают его способность обеспечить до 90 Вт выходной мощности с высокой эффективностью, даже в суровых условиях. Его прочный дизайн обеспечивает надежность и долговечность, подходящую для наружной и промышленной среды. Кроме того, этот IC -чип поддерживает легкую интеграцию в существующие системы благодаря его компактному размеру и стандартной упаковке. MRF18090AR3-это решение для инженеров, стремящихся повысить мощность и эффективность их дизайна RF, сохраняя при этом экономическую эффективность и эксплуатационную стабильность. Измените цитату MRF18090AR3 и оставьте свое сообщение по адресу info@rxelectronics.com.