MN63Y1208-E1

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN MN63Y1208-E1, к счастью, вы попали в нужное место, вы получите все детали в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. Высокопроизводительный, статическая статическая случайная память (SRAM) с низкой мощью, предназначенный для широкого спектра приложений. Этот 8-битный SRAM 128K X предлагает быстрый момент доступа и надежное хранение данных, что делает его идеальным для использования в промышленной, автомобильной и потребительской электронике. Устройство работает в широком диапазоне напряжения от 2,5 В до 3,6 В, обеспечивая совместимость с различными системами питания. Он оснащен компактным пакетом SOIC-28, который экономит пространство для платы, сохраняя при этом надежную производительность. MN63Y1208-E1 поддерживает как асинхронные, так и синхронные операции чтения/записи, повышая ее универсальность. При низком активном и резервном потреблении тока он является энергоэффективным, продлевает срок службы батареи в переносных устройствах. Кроме того, чип включает в себя расширенные функции защиты, такие как входы Schmitt-Trigger и выход управления, обеспечивая стабильную работу в различных условиях. Его высокая достоверность и долговечность делают MN63Y1208-E1 предпочтительным выбором для требовательных приложений, требующих стабильных и эффективных решений для памяти. Продолжайте обсуждение.