Номер детали производителя : | RM3010S6 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Rectron USA |
Состояние на складе : | - |
Описание : | MOSFET N-CHANNEL 30V 10A SOT23-6 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | RM3010S6.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RM3010S6 |
---|---|
производитель | Rectron USA |
Описание | MOSFET N-CHANNEL 30V 10A SOT23-6 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | RM3010S6.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | SOT-23-6 |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 10A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 2.5W (Ta) |
Упаковка / | SOT-23-6 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1550 pF @ 15 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 10A (Ta) |
IC EEPROM 64KBIT SPI 1MHZ 8SOIC
RELAY GEN PURPOSE 3PDT 10A 115V
IC EEPROM 128KBIT SPI 1MHZ 8SOIC
RELAY GEN PURPOSE 3PDT 10A 12V
RELAY GEN PURPOSE 3PDT 10A 60V
RELAY GEN PURPOSE 3PDT 10A 24V
DIODE MODULE 450V 300A
MOSFET N-CHANNEL 30V 10A 8SOP
IC EEPROM 256KBIT SPI 1MHZ 8SOIC
RELAY GEN PURPOSE 3PDT 10A 24V