Номер детали производителя : | RM40N200TI |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Rectron USA |
Состояние на складе : | - |
Описание : | MOSFET N-CHANNEL 200V 40A TO220F |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | RM40N200TI.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | RM40N200TI |
---|---|
производитель | Rectron USA |
Описание | MOSFET N-CHANNEL 200V 40A TO220F |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | RM40N200TI.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | TO-220F |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 20A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 60W (Ta) |
Упаковка / | TO-220-3 Full Pack |
Упаковка | Tube |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 6500 pF @ 25 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 200 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 40A (Ta) |
MOSFET N-CH 100V 40A TO252-2
MOSFET N-CHANNEL 40V 40A 8DFN
PROTOTYPE
IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
PROTOTYPE
PROTOTYPE
MOSFET N&P-CH 40V 6.7A/7.2A 8SOP
MOSFET P-CHANNEL 40V 6.2A 8SOP
MOSFET P-CHANNEL 40V 40A TO252-2
MOSFET N-CHANNEL 40V 42A TO252-2