Номер детали производителя : | SCTWA40N120G2V |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | STMicroelectronics |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DISCRETE |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | SCTWA40N120G2V |
---|---|
производитель | STMicroelectronics |
Описание | DISCRETE |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | |
Vgs (й) (Max) @ Id | 4.9V @ 1mA |
Vgs (макс.) | +18V, -5V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | TO-247 Long Leads |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 20A, 18V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 278W (Tc) |
Упаковка / | TO-247-3 |
Упаковка | Bulk |
Рабочая Температура | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1233 pF @ 800 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 61 nC @ 18 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 1200 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 36A (Tc) |
Базовый номер продукта | SCTWA40 |
TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247
DISCRETE
DISCRETE
MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247
DISCRETE
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
SICFET N-CH 650V 45A TO247
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
IC POWER MOSFET 1200V HIP247