VND5050AJTR-E

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN VND5050AJTR-E, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите все детали в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. N-канальный режим режима мощности Power MOSFET, изготовленный STMICROELECTRONICS. Это устройство предназначено для того, чтобы предлагать превосходные электрические характеристики, обеспечивая эффективное управление питанием в различных приложениях. Он имеет ультра-низкий RDS (ON) (сопротивление в штате), что значительно снижает потери проводимости и повышает общую эффективность системы.

Ключевые особенности VND5050AJTR-E включают его способность работать на высоких частотах переключения, что делает его идеальным для современных конструкций электроники. MOSFET имеет максимальное напряжение источника дренажного источника (VDS) 55 В и может обрабатывать непрерывные потоки дренаж до 61А, обеспечивая надежные производительность в требовательных условиях. Его термически улучшенный пакет обеспечивает эффективное рассеяние тепла, способствуя надежной работе в течение длительных периодов.

Этот MOSFET находит широкое использование в секторах автомобильной, промышленной и потребительской электроники. Общие приложения включают управление двигателем, преобразователи DC-DC, системы управления батареями и цепи с высоким содержанием тока. Компактный размер VND5050AJTR-E и превосходные тепловые характеристики делают его предпочтительным выбором для дизайнеров, стремящихся оптимизировать пространство и повысить энергоэффективность в своих продуктах. Обратите внимание на нашу команду по продажам по адресу info@rxelectronics.com для получения дополнительной информации и деталей. Мы находимся в вашем сервисе в любое время!