VNQ660SPTR-E

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN VNQ660SPTR-E, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите все части в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. VNQ660SPTR-E-высокая производительность. , низковольтный режим улучшения N-канала Power Mosfet, изготовленный STMicroelectronics. Предназначенное для эффективных приложений переключения, это устройство оснащено сверхнизким RDS (ON) 4,5 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и повышенную эффективность системы. Он работает в пределах диапазона напряжения от 0 до 30 В, что делает его подходящим для широкого спектра задач управления питанием.

Ключевые характеристики включают его способность обрабатывать непрерывные дренажные токи до 92A, надежную лавину, а также термически улучшенную упаковку SO-8 для превосходного рассеяния тепла. VNQ660SPTR-E также предлагает быстрые скорости переключения, снижая потери переключения в высокочастотных приложениях.

Этот MOSFET находит широкое использование в автомобильной электронике, например, управление двигателем, защита нагрузки и системы управления батареями. Кроме того, он идеально подходит для промышленных приложений, таких как питания Switch-Mode (SMPS), преобразователи DC-DC и драйверы соленоида, где надежность и производительность имеют первостепенное значение. Его компактный размер и высокая эффективность делают его предпочтительным выбором для дизайнеров, стремящихся оптимизировать пространство и энергопотребление в современных электронных проектах. Пожалуйста, свяжитесь с нашей командой продаж или отправьте электронное письмо по адресу info@rxelectronics.com, надеюсь, мы сможем сотрудничать в будущем.