SI-B8V221B2HUS

Подробности продукции

Поиск надежного источника для PN Si-B8V221B2HUS имеет решающее значение, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите подлинный и надежный источник продуктов в RX Electronics. -Подмерция, чип памяти с низким уровнем мощности (SRAM). Он имеет плотность 8 МБ с организацией 1024K x 8 битов, что делает ее подходящим для приложений, требующих значительной емкости памяти при сохранении быстрых скоростей доступа. Этот SRAM работает эффективно в широком диапазоне напряжения от 1,7 В до 3,6 В, обеспечивая совместимость на различных устройствах и снижает энергопотребление.

Одним из его ключевых преимуществ является низкий активный ток и резервный ток, который значительно продлевает срок службы батареи в портативных устройствах. Чип поддерживает операции режима взрыва, повышая пропускную способность данных и производительность системы. Его небольшой форм -фактор, в частности, пакет BGA, позволяет создавать компактную интеграцию проекта.

SI-B8V221B2HUS идеально подходит для потребительской электроники, сетевого оборудования, промышленного управления и автомобильных систем, где имеют решающее значение для надежных, быстрых и энергоэффективных решений для памяти. Its robust performance and versatility make it a preferred choice for designers seeking to optimize both speed and power efficiency in their applications.Kindly reach out to our sales team at info@rxelectronics.com for further information and details. Мы находимся в вашем сервисе в любое время!