Номер детали производителя : | GL4800E0000F |
---|---|
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | Sharp Microelectronics |
Состояние на складе : | 5250 pcs Stock |
Описание : | EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | GL4800E0000F.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | GL4800E0000F |
---|---|
производитель | Sharp Microelectronics |
Описание | EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 5250 pcs |
Спецификация | GL4800E0000F.pdf |
длина волны | 950nm |
Напряжение - Вперед (Vf) (Тип) | 1.2V |
Угол обзора | 60° |
Тип | Infrared (IR) |
Серии | - |
Интенсивность излучения (Ie) Мин @ Если | - |
упаковка | Bulk |
Упаковка / | Radial |
Другие названия | 425-1939-5 |
ориентация | Side View |
Рабочая Температура | -25°C ~ 85°C (TA) |
Тип установки | Through Hole |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Подробное описание | Infrared (IR) Emitter 950nm 1.2V 50mA 60° Radial |
Ток - постоянный ток (если) (макс.) | 50mA |
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB