| Номер детали производителя : | RS3MHM6G | Статус RoHS : | |
|---|---|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) | Состояние на складе : | - |
| Описание : | DIODE GEN PURP 3A DO214AB | Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | RS3MHM6G(1).pdfRS3MHM6G(2).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | RS3MHM6G |
|---|---|
| производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Описание | DIODE GEN PURP 3A DO214AB |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | RS3MHM6G(1).pdfRS3MHM6G(2).pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.3 V @ 3 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1000 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | DO-214AB (SMC) |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | Automotive, AEC-Q101 |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 500 ns |
| Упаковка / | DO-214AB, SMC |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Тип установки | Surface Mount |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 1000 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 3A |
| Емкостной @ В.Р., F | - |
| Базовый номер продукта | RS3M |







150NS 3A 1000V FAST RECOVERY REC
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 3A DO214AB
160NS, 3A, 1000V, FAST RECOVERY

DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC
PCH -100V -7A POWER MOSFET: RS3P
RESISTR KIT 1K-9.76K 1/4W 480PCS
160NS, 3A, 1000V, FAST RECOVERY
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AA