| Номер детали производителя : | SFT11GHA0G | Статус RoHS : | |
|---|---|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) | Состояние на складе : | - |
| Описание : | DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1 | Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | SFT11GHA0G(1).pdfSFT11GHA0G(2).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | SFT11GHA0G |
|---|---|
| производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Описание | DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | SFT11GHA0G(1).pdfSFT11GHA0G(2).pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 950 mV @ 1 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 50 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | TS-1 |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | Automotive, AEC-Q101 |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 35 ns |
| Упаковка / | T-18, Axial |
| Упаковка | Tape & Box (TB) |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Тип установки | Through Hole |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 50 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
| Емкостной @ В.Р., F | 20pF @ 4V, 1MHz |
| Базовый номер продукта | SFT11 |







DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1
TRANS NPN 150V 2A TP-FA
DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1
NPN SILICON TRANSISTOR
DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1
TRANS NPN 150V 2A TP
DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1
DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1
DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1
DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1