| Номер детали производителя : | TP65H150G4LSG |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | Transphorm |
| Состояние на складе : | 2998 pcs Stock |
| Описание : | GAN FET N-CH 650V PQFN |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | TP65H150G4LSG |
|---|---|
| производитель | Transphorm |
| Описание | GAN FET N-CH 650V PQFN |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | 2998 pcs |
| Спецификация | |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4.8V @ 500µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Поставщик Упаковка устройства | 2-PQFN (8x8) |
| Серии | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 8.5A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 52W (Tc) |
| Упаковка / | 2-PowerTSFN |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 598 pF @ 400 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 650 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 13A (Tc) |
| Базовый номер продукта | TP65H150 |








GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN

650 V 13 A GAN FET

GANFET N-CH 650V 25A PQFN88

GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN

GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN

GAN FET N-CH 650V TO-220

GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN

GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6

GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN

650 V 25 A GAN FET