Номер детали производителя : | W63CH2MBVACE | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | Winbond Electronics Corporation | Состояние на складе : | - |
Описание : | IC DRAM 4GBIT PAR 178VFBGA | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | W63CH2MBVACE(1).pdfW63CH2MBVACE(2).pdfW63CH2MBVACE(3).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | W63CH2MBVACE |
---|---|
производитель | Winbond Electronics Corporation |
Описание | IC DRAM 4GBIT PAR 178VFBGA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | W63CH2MBVACE(1).pdfW63CH2MBVACE(2).pdfW63CH2MBVACE(3).pdf |
Время цикла записи - слово, страница | 15ns |
Напряжение тока - поставка | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V |
Технологии | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Поставщик Упаковка устройства | 178-VFBGA (11x11.5) |
Серии | - |
Упаковка / | 178-VFBGA |
Упаковка | Tray |
Рабочая Температура | -25°C ~ 85°C (TC) |
Тип установки | Surface Mount |
Тип памяти | Volatile |
Размер памяти | 4Gbit |
Организация памяти | 128M x 32 |
Интерфейс памяти | Parallel |
Формат памяти | DRAM |
Тактовая частота | 933 MHz |
Базовый номер продукта | W63CH2 |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA
IC DRAM 4GBIT PAR 178VFBGA
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA