Номер детали производителя : | 1N4446TR | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Состояние на складе : | 5375 pcs Stock |
Описание : | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | 1N4446TR.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | 1N4446TR |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 5375 pcs |
Спецификация | 1N4446TR.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1V @ 20mA |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 100V |
Поставщик Упаковка устройства | DO-35 |
скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 4ns |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | DO-204AH, DO-35, Axial |
Рабочая температура - Соединение | 175°C (Max) |
Тип установки | Through Hole |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Диод Тип | Standard |
Подробное описание | Diode Standard 100V 200mA Through Hole DO-35 |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 25nA @ 20V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 200mA |
Емкостной @ В.Р., F | 4pF @ 0V, 1MHz |
Номер базового номера | 1N4446 |
DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 100V DO35
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
SMALL SIGNAL DIODE
DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35