1PMT7.0AT3G

Подробности продукции

Поиск надежного источника для PN 1 PMT7.0AT3G имеет решающее значение, к счастью, вы попали в нужное место, вы получите подлинный и надежный источник продуктов на RX Electronics. , Gan-On-Silicon Carbide (Gan-On-SIC) Power Transistor, производимый ON Semiconductor, ведущим поставщиком инновационных кремниевых решений. Это устройство предназначено для обеспечения превосходной эффективности и надежности в радиочастотных (радиочастотных) приложениях, что делает его идеальным выбором для систем связи следующего поколения, включая инфраструктуру 5G, радиолокационные системы и спутниковую связь.

Ключевые особенности 1 PMT7.0AT3G включают его способность работать на высоких частотах до 3 ГГц с исключительной плотностью мощности, достигая до 7 Вт, сохраняя при этом низкое тепловое сопротивление. Его надежный дизайн обеспечивает долговечность даже в суровых условиях окружающей среды, тем самым продлевая эксплуатационный срок службы и снижая потребности в техническом обслуживании. Кроме того, использование технологии GAN обеспечивает значительные преимущества, такие как более высокий усиление, лучшая линейность и повышенная эффективность по сравнению с традиционными устройствами на основе кремния, что обеспечивает более компактные и эффективные проекты системы.

Этот транзистор особенно подходит для приложений, требующих мощного выхода и частоты, что делает его незаменимым в современных телекоммуникационных сетях и оборонной электронике, где производительность и надежность имеют критическое.