Номер детали производителя : | FCD360N65S3R0 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Состояние на складе : | 38957 pcs Stock |
Описание : | SUPERFET3 650V DPAK |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | FCD360N65S3R0.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | FCD360N65S3R0 |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | SUPERFET3 650V DPAK |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 38957 pcs |
Спецификация | FCD360N65S3R0.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Vgs (макс.) | ±30V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | D-PAK (TO-252) |
Серии | SuperFET® III |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 5A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 83W (Tc) |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Другие названия | FCD360N65S3R0-ND FCD360N65S3R0OSTR |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Свободный свинец | Lead free |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 730pF @ 400V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 650V |
Подробное описание | N-Channel 650V 10A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252) |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 10A (Tc) |
MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3
MOSFET N-CH 800V 2A D2PAK
MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK
MOSFET N-CH 800V 4A TO252
MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
MOSFET N-CH 260MOHM TO252
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK