FDI150N10

Подробности продукции

Если вам требуется запас FDI150N10, то вы попали в нужное место! RX Electronics рада предложить наши исключительные услуги для удовлетворения ваших потребностей. FDI150N10 из On Semiconductor-это высокопроизводительный N-канальный MOSFET, предназначенный для эффективного управления питанием в различных электронных приложениях. Это устройство имеет низкое сопротивление в государстве (RDS (ON)) 150 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери мощности и повышенную эффективность системы. С номиналом напряжения источника (VDS) 60 В и способностью непрерывного тока дренажного тока (ID) составляет до 4,8А, FDI150N10 хорошо подходит для требовательных приложений переключения, таких как преобразователи DC-DC, управление двигателем и переключатели нагрузки.

Его надежный дизайн поддерживает высокоскоростные операции переключения, что делает его идеальным для современной электроники, требующей быстрого переходного отклика и низкого энергопотребления. FDI150N10 также обеспечивает отличную тепловую стабильность, что обеспечивает надежную производительность в широком диапазоне температур (от -55 ° C до 175 ° C). Упакованный в компактном формате DPAK (TO-252), этот MOSFET обеспечивает оптимальный баланс между производительностью, размером и простотой интеграции. Его превосходные электрические характеристики и надежность делают FDI150N10 предпочтительным выбором для дизайнеров, ищущих эффективные и долговечные решения для энергоснабжения. Цена и время по выполнению FDI150N10 в зависимости от необходимого количества, отправьте нам запрос, наша команда продаж предоставит вам цену и доставку в течение 24 часов, мы с нетерпением ждем, чтобы сотрудничать с вами.