| Номер детали производителя : | FDMS86369-F085 |
|---|---|
| Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Состояние на складе : | 20780 pcs Stock |
| Описание : | MOSFET N-CH 80V 65A POWER56 |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | FDMS86369-F085.pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | FDMS86369-F085 |
|---|---|
| производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Описание | MOSFET N-CH 80V 65A POWER56 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 20780 pcs |
| Спецификация | FDMS86369-F085.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | Power56 |
| Серии | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 65A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 107W (Tc) |
| упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка / | 8-PowerTDFN |
| Другие названия | FDMS86369-F085TR FDMS86369_F085 FDMS86369_F085TR FDMS86369_F085TR-ND |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2470pF @ 40V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 46nC @ 10V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 80V |
| Подробное описание | N-Channel 80V 65A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount Power56 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 65A (Tc) |







POWER TRENCH MOSFET
MOSFET N CH 60V 25A 8-PQFN
MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
MOSFET N CH 60V 29A 8-PQFN
MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
FET 80V 7.5MOHM PQFN8
MOSFET N-CH
MOSFET N-CH 80V 50A POWER56