FDS8958B_G

Подробности продукции

Если вам требуется запас FDS8958B_G, то вы попали в нужное место! RX Electronics рада предложить наши исключительные услуги для удовлетворения ваших потребностей. FDS8958B_G из ON Semiconductor-это MOSFET режима улучшения N-канала, предназначенный для высокочастотных приложений переключения. Он имеет низкий уровень устойчивости (RDS (ON)) 16 миллионов при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальную потерю мощности и повышение эффективности. Благодаря рейтингу напряжения дренажного источника (VDS) 60 В и возможности непрерывного потока (ID) до 23А, это устройство хорошо подходит для требовательных систем управления питанием.

Ключевые характеристики включают быстрые скорости переключения, превосходную тепловую стабильность и надежную защиту электростатического разряда (ESD). Его небольшой след делает его идеальным для ограниченных космических конструкций, таких как портативная электроника, адаптеры и зарядные устройства для батареи. Кроме того, FDS8958B_G широко используется в синхронных преобразователях Buck, цепях управления двигателем и светодиодными драйверами, где эффективная доставка мощности и компактная конструкция имеют решающее значение. Этот компонент придерживается строгих экологических стандартов, что делает его подходящим для решений Green Energy. Цена и время заказа для FDS8958B_G В зависимости от необходимого количества, отправьте нам запрос, наша команда продаж предоставит вам цену и доставку в течение 24 часов, мы искренне с нетерпением ждем возможности сотрудничать с вами.