FGAF20N60SMD

Подробности продукции

В качестве эффективного и опытного гибридного дистрибьютора электроники, наша компания-RX Electronics-предоставляет огромный выбор высококачественных электронных компонентов. FGAF20N60SMD от полупроводника представляет собой высокопроизводительный N-канальный MOSFET, предназначенный для широкого ассортимента приложений управления питанием. Это устройство оснащено напряжением разбивки (V (BR) DSS) 600 В, что делает его подходящим для высоковольтных цепей. При сопротивлении в штате (RDS (ON)) всего 1,4 Ом при VGS = 10 В, он обеспечивает минимальные потери проводимости и эффективную доставку мощности.

Ключевые характеристики включают быстрые скорости переключения, низкий заряд и превосходную тепловую стабильность, которые способствуют повышению эффективности и надежности системы. FGAF20N60SMD размещен в компактном пакете с поверхностным майком, обеспечивающим пространство, обеспечивая при этом надежную производительность.

Этот MOSFET идеально подходит для различных приложений, таких как питания Switch-Mode (SMP), системы управления двигателями, инверторы возобновляемой энергии и автомобильная электроника. Его прочная конструкция и превосходные электрические параметры делают его предпочтительным выбором для инженеров, ищущих надежные и эффективные решения в области энергоснабжения в требовательных средах. Цена и время по выполнению FGAF20N60SMD в зависимости от необходимого количества, отправьте нам запрос, наша команда продаж предоставит вам Цена и доставка В течение 24 часов мы искренне с нетерпением ждем сотрудничества с вами.