FGH60N6S2

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN FGH60N6S2, к счастью, вы попали в нужное место, вы получите все части в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. FGH60N6S2 от ON Semiconductor-это Mosfet High-Performance Mosfet. спроектирован для эффективности и надежности. Этот N-канальный MOSFET может похвастаться низким сопротивлением в государстве (RDS (ON)) 6 МОм, обеспечивая минимальные потери мощности во время высоких операций тока. Он имеет максимальное напряжение источника дренажного источника (VDS) 60 В и непрерывный канатный ток (ID) 60a, что делает его подходящим для обработки существенных электрических нагрузок.

Ключевые преимущества включают его надежность, быструю скорость переключения и отличную термостабильность благодаря своей расширенной технологии траншеи. FGH60N6S2 также предлагает повышенную защиту от электростатического разряда (ESD), что способствует долгосрочной долговечности.

Этот MOSFET широко используется в приложениях, где имеют решающее значение высокого тока и диссипация с низкой мощностью, такие как схемы питания, системы управления батареями, двигательные диски и системы возобновляемых источников энергии. Его компактный пакет позволяет экономить пространство в густонаселенных макетах печатных плат, в то время как его превосходные характеристики производительности делают его предпочтительным выбором для требовательных проектов электроники электроники. Пожалуйста, нажмите «Отправить запрос», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.