FGH80N60FD2TU

Подробности продукции

Поиск надежного источника для PN FGH80N60FD2TU имеет решающее значение, к счастью, вы попадете в нужно за его надежность и эффективность в приложениях управления питанием. Это устройство специально разработано как N-канальный режим улучшения кремниевого карбида (SIC) MOSFET, предлагающий превосходные характеристики переключения и надежность по сравнению с традиционными альтернативами на основе кремния. Его ключевые особенности включают низкое сопротивление в государстве (RDS (ON)) 80 миллионов при напряжении в затворе 10 В, а также максимальное напряжение источника источника (VDS (MAX)), что делает его идеальным для высокого уровня Напряжение, высокочастотные приложения переключения.

Этот чип превосходит в снижении потери мощности и повышении эффективности системы, особенно в таких приложениях, как солнечные инверторы, системы UPS и станции зарядки электромобилей. Его широкая технология Bandgap обеспечивает лучшие тепловые управления и более высокие рабочие температуры, обеспечивая стабильную производительность в суровых условиях. Компактный дизайн и расширенная упаковка FGH80N60FD2TU также облегчает интеграцию в электронику следующего поколения, ведущая инновации в области Power Electronics.Please Свяжитесь с нашей командой по продажам по адресу info@rxelectronics.com при более раннем удобстве. Мы уверены, что наша команда не разочарует вас. Спасибо за рассмотрение RX Electronics.