FJN3303RBU

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN FJN3303RBU, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите все части в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. На полупроводнике FJN3303RB-это высокий уровень n- канал MOSFET, разработанный для эффективного управления питанием. Его ключевые функции включают низкое сопротивление в государстве (RDS (ON)) типичного 3 мм, что обеспечивает минимальную потерю мощности во время работы. Он имеет максимальное напряжение дренажного источника (VDS) 30 В и непрерывный канатный ток (ID) 33A, обеспечивая надежную производительность в высоких текущих приложениях.

Этот MOSFET может похвастаться быстрой скоростью переключения, повышая отзывчивость системы и уменьшая потери переключения. Его небольшой размер упаковки, TO-252AB (3-контактный), обеспечивает компактную конструкцию и повышенную тепловую эффективность. FJN3303RB также характеризуется его прочной, с превосходной тепловой стабильностью и надежностью против электростатического разряда (ESD).

Его преимущества заключаются в сочетании с низким RD (ON), высокой обработкой тока и компактной упаковкой, что делает его идеальным для использования в различных приложениях, таких как нагрузочные переключатели, управление аккумуляторами в портативных устройствах, преобразователях DC-DC и управлении двигателем в приборах и автомобильных системах. Его эффективность и надежность делают его предпочтительным выбором для дизайнеров, ищущих оптимизированные Power Solutions. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нашей команде по продажам по адресу info@rxelectronics.com для дальнейших обсуждений.