FJNS3201RBU

Подробности продукции

Как эффективный и опытный дистрибьютор гибридной электроники, наша компания, RX Electronics., Предлагает широкий спектр качественных электронных компонентов, полученных непосредственно от всемирно известных производителей. FJNS3201RBU от полупроводника представляет собой высокопроизводительный N-канальный MOSFET, предназначенный для эффективности и надежности в области управления энергетикой. Это устройство имеет ультра-низкую устойчивость (RDS (ON)) 0,95 МОм при VGS = 10 В, обеспечивая минимальные потери мощности и повышенную эффективность системы. Его надежная конструкция поддерживает напряжение источника дренажного источника (VDS) 30 В и непрерывный ток дренажа (ID) до 124A, что делает его идеальным для требования среды переключения энергии.

Ключевые характеристики включают быстрые скорости переключения, низкий заряд и превосходную тепловую стабильность, которые способствуют превосходной производительности в высокочастотных операциях. FJNS3201RBU упаковывается в компактный формат 263-3L, способствуя эффективной планировке ПХБ и рассеянности тепла.

Этот MOSFET широко используется в различных приложениях, таких как преобразователи DC-DC, системы управления двигателями, управление аккумулятором и автомобильную электронику. Его способность обрабатывать высокие токи с минимальными потери мощности делает его предпочтительным выбором для дизайнеров, стремящихся оптимизировать энергоэффективность и снизить затраты на системные затраты в современных электронных устройствах. Пожалуйста, любезно нажмите «Отправить запрос», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.