FQB6N90TM_AM002

Подробности продукции

Если вам требуется поставка FQB6N90TM_AM002, то вы попали в нужное место! RX Electronics рада предложить наши исключительные услуги для удовлетворения ваших потребностей. FQB6N90TM_AM002 из ON Semiconductor-это высокопроизводительный, кремниевый карбид (SIC) MOSFET, предназначенный для требовательных приложений для преобразования энергии. Это устройство 900 В предлагает превосходную эффективность и надежность, что делает его идеальным для использования в электромобилях, системах возобновляемых источников энергии и промышленных источниках питания. FQB6N90TM_AM002 имеет низкий уровень устойчивости (RDS (ON)) и минимизированные потери переключения, что значительно повышает производительность системы при одновременном снижении проблем с тепловым управлением. Его надежная конструкция обеспечивает превосходную прочность в отношении суровых условий эксплуатации, включая высокие температуры и переходные процессы напряжения. Устройство размещено в пакете TO-247, что облегчает легкую интеграцию в существующие проекты. Благодаря своей расширенной технологии SIC, FQB6N90TM_AM002 обеспечивает более высокую плотность мощности и более быстрые скорости переключения по сравнению с традиционными МОПП на основе кремния. Это делает его отличным выбором для инженеров, стремящихся оптимизировать эффективность питания и снизить общий размер и вес системы в Power Electronics следующего поколения. Пожалуйста, свяжитесь с нашим командой по продажам по адресу info@rxelectronics.com при более раннем удобстве. Мы уверены, что наша команда не разочарует вас. Спасибо за рассмотрение RX Electronics.