FQP18N20V2

Подробности продукции

В качестве эффективного и опытного дистрибьютора гибридной электроники, наша компания, RX Electronics., Предлагает широкий спектр качественных электронных компонентов, полученных непосредственно от всемирно известных производителей. FQP18N20V2 от полупроводника представляет собой MOSFET режима улучшения N-канала, разработанный для применений с высоким уровнем переключения. Он имеет максимальное напряжение источника дренажного источника (VDS) 200 В, непрерывный канатный ток (ID) до 18А и низкий уровень на притилизации (RDS (ON)) 0,55 Ом при VGS = 10 В. Это устройство предлагает отличную термостабильность и быстрые скорости переключения, что делает его идеальным для систем управления питанием.

Ключевые характеристики включают в себя низкий заряд, который повышает эффективность переключения и превосходную лавину, обеспечивая надежную производительность в условиях неисправности. Его небольшая площадь и термически усовершенствованные параметры пакета позволяют создавать компактные конструкции в условиях, ограниченных пространством.

FQP18N20V2 обычно используется в различных приложениях для промышленной и потребительской электроники, таких как драйверы управления двигателем, источники питания, инверторы и автомобильные системы. Его прочный конструкция обеспечивает надежную работу в разных условиях работы, предоставляя инженерам универсальное решение для требования задач преобразования питания. Пожалуйста, любезно нажмите «Отправить запрос», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.