FQU3P50TU

Подробности продукции

Как эффективный и опытный гибридный дистрибьютор электроники, наша компания, RX Electronics., Предлагает широкий спектр качественных электронных компонентов, полученных непосредственно от всемирно известных производителей. FQQ3P50TU с полупроводника представляет собой высокопроизводительный N-канальный MOSFET, разработанный для эффективных применений смены мощности. Он имеет низкое сопротивление в штате (RDS (ON)), как правило, 3,2 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и повышение эффективности системы. С рейтингом напряжения источника дренажного источника (VDS) 50 В и непрерывным током дренажа (ID) до 114A, он поддерживает надежную работу в требовательных условиях. Устройство работает в широком диапазоне температур (от -55 ° C до +175 ° C), что делает его подходящим для суровых сред. Его быстрая возможность переключения снижает потери переключения, идеально подходит для высокочастотных приложений. Упакованный в 263-3, он предлагает отличные тепловые характеристики. Обычные приложения включают управление двигателем, преобразователи DC-DC и системы управления аккумуляторами, где имеют решающее значение эффективность, надежность и компактная конструкция. Комбинация этого MOSFET с низким RDS (ON), высокой обработкой тока и тепловой стабильности обеспечивает значительные преимущества в Power Electronics.please, не стесняйтесь обращаться к нашей команде по продажам по адресу info@rxelectronics.com для дальнейших обсуждений.