NB7N017MMNG

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN NB7N017MMNG, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите все детали в новом и исходном состоянии при RX Electronics. MOSFET (металлический оксид-полупроводник полевой транзистор), производимый на полупроводнике. Это устройство предназначено для эффективного управления питанием в приложениях, требующих высоких частот переключения и низкой потери мощности. С максимальным напряжением дренажного источника (VDS) 60 В и максимальным током дренажа (ID) 3A он обеспечивает надежную работу в широком диапазоне электронных систем. NB7N017MNG имеет низкое сопротивление в государстве (RDS (ON)) 18 миллиомов при приводе затвора 10 В, минимизируя потери проводимости и повышение общей эффективности системы. Этот MOSFET, расположенный в компактном пакете SOT-23, предлагает превосходную тепловую производительность и дизайн экономии пространства, что делает его идеальным для портативных устройств, оборудования для батареи и плотных плат. Его надежный дизайн и превосходные электрические характеристики делают NB7N017mmng лучшим выбором для инженеров, стремящихся оптимизировать эффективность питания и надежность в своих проектах. Пожалуйста, нажмите «Отправить запрос», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.